9.1 改变一次电流

请注意，使用 Cs⁺ 源时，只使用 L2、L3 和 L4 透镜，即可覆盖所有束流设置。

对于非常小的束（束直径 < 几 μ m），必须选择以下条件：高 source HV（通常为 10kV）、小 D0（通常为 400 μ m）和 D4（通常为 100 μ m），并结合高 L2 值（通常高于 source HV 的 70%）。如果需要，则通过增大 L2、D4 和 D0 的值来降低一次电流（以及束直径）。

Cs ⁺ 一次离子，Source HV = +10kV，Reservoir current = 0.1mA，Ionizer current = 1.8mA

图 1：不含 L3 透镜时一次离子束轨迹示意图（Cs 源）。

- 使用透镜 L3 时：

○ 低值（通常条件）：L3 值保持为 0，对于非常高密度的束可增大至 30%。

○ 高值（仅在需要极小束斑直径时使用）：一次束强度（以及束尺寸）随 L3 增大而增大。

注意：L3 不应在 source HV 的 30% 至 60% 之间使用，以保持一次束良好聚焦。

图 2：使用 L3 透镜时一次离子束轨迹示意图（Cs 源）。