跳转到内容

12.1 改变一次电流

建议使用不同的一次束设置(L1、L2 和 L3 透镜),以覆盖不同的一次电流范围。

L1固定为 Duo Source HV 的约 55%
L2用于增大/减小一次束强度(标准束)
L3如需高束流密度,取 Duo Source HV 的 0 至 40%。对于高密度小束流,取 Duo Source HV 的 65% 以上。(成像束)

O₂⁺ 一次离子,Source HV = +15kV:

在给定范围内,一次束强度可通过以下方式改变:

- 光阑选择:较小的 D0 光阑会同时减小电流和束斑尺寸。较小的 D4 光阑主要减小电流,但对束斑尺寸影响不大。因此,建议主要使用 D4 和 L2 来改变一次电流。

- 使用透镜 L3:

○ 低数值(常用条件):L3 数值保持为 0,对于极高密度束流可增大至 30%。

○ 高数值(仅在需要极小束斑直径时使用):一次束强度(以及束斑尺寸)随 L3 增大而增大。

注意:为保持一次束良好聚焦,不应在源高压的 30% 至 60% 之间使用 L3。

一般而言,改变一次电流时遵循以下规则:

- 要降低一次束强度,请按顺序操作直至获得所需的一次电流:先增大 L2(若 L3 未设为 0,则减小 L3 数值),然后减小 D4,最后减小 D0。

- 要增大一次束强度,请按顺序操作直至获得所需的一次电流:先增大 D4(若 D4 小于 750μm),然后增大 D0(若 D0 小于 750μm),最后将 L2 减小至源电压的 50% 并增大 L3(保持 L3 < 源高压的 30%)。

请注意,改变光阑选择是以离散步进的方式改变一次电流,而 L2 透镜则提供连续变化。因此,若需要精确的一次电流值,可能需要将光阑选择与 L2 数值结合使用。

对于极小束流设置(束斑直径 < 数 μ m),必须选择以下条件:高源高压(通常 ≥ 10kV)、小 D0(通常 400 μ m 及以下)和 D4(通常 100 μ m),并配合高 L2 数值(通常高于源高压的 70%)。通过增大 L2 数值可减小一次电流(以及束斑直径)。

O₂⁺ 一次离子,Source HV = +15kV:

使用标准条件(L1、L2)时一次离子束轨迹示意图(双等离子体源):标准束。
使用标准条件(L1、L2)时一次离子束轨迹示意图(双等离子体源):标准束。
使用标准条件(L1、L2)+ 透镜 L3 时一次离子束轨迹示意图(双等离子体源):最高束流密度。
使用标准条件(L1、L2)+ 透镜 L3 时一次离子束轨迹示意图(双等离子体源):最高束流密度。