12.2 总体对准流程

本对准的目标是设定光阑位置和偏转器数值，以获得所需的一次电流。本章中所有数值均基于高能量条件：Source HV=15keV、Sample HV=5keV。在其他 Sample HV 下可对这些数值进行外推，前提是所有透镜电压均按与 Source HV 相同的比例修改。

12.2.1 起始条件：次级光路的预对准

要求次级光路已预先对准，以便能够在 MCP（Micro Channel Plate，微通道板）上显示聚焦的二次样品图像。

- Detection mode（检测模式）：Image

- Transfer lens（传输透镜）：250 μm

- FA：#1（1800μm）

- CA：#2（150 μm）

为了在 MCP 上获得良好的网格图像，请调节浸没透镜、消像散器和传输透镜（LTR1、LTR2）的精细控制。

12.2.2 起始条件：初级光路

要求具备以下仪器条件。

- D0=3000 μm（无光阑）

- D4=750 μm（#1）

- 所有透镜和偏转器置 0，以下项除外：

○ L4: ~ 10200 V

- Beam Pos X：1000~1200 digits

DefFC: 160 ~ 180 eV

该值应接近典型值（对于 Source HV=15keV、Sample HV=5keV）

- Raster size（光栅尺寸）：100 μm × 100 μm

- DTOS：ON

通过与 Raster Off 比较，检查 DTOS 是否已正确校准。开启光栅和 DTOS 时的束斑形状应与关闭光栅时的束斑形状相同。若不相同，必须调整 DTOS 数值（X、Y），直至两种情况下的束斑形状一致。