12.3 使用氧源的对准流程：

STEP A：在 D4 光阑中对准一次束

1. 将所有消像散器置 0：Stig 45、Stig 90 和 D5-S1。

2. 若尚未完成，请应用上文所述的起始条件。

3. 将 L1 设为源高压的 65%（例如：源高压=15 keV 时 L1=8.25 keV）

4. 打开一次束（Beam ON），使用 Beam pos（X、Y）偏转器将其在 FA 平面内居中。

5. 在 Beam On 状态下摆动 L4。束流应在同一位置聚焦和散焦。若不然，通过调整 D4 光阑位置（X、Y）来校正对准。

6. 使用 Beam pos（X、Y）将束流重新居中到次级光轴上，即视场光阑平面的中心。

7. 在 ‘Mass & Apertures’ 面板上点击 [VAL] 按钮，确认 D4_750 μm（#1）的位置。

■ 注意：其他 D4 光阑的定位将在后续流程 STEP C 中介绍。

■ 注意：对准前先移除 Wien。

STEP B：在透镜 L2 中对准一次束

1. 按先前设置，用 L4 将束流保持聚焦成小的探针束。在 Beam On 状态下缓慢增大 L2，然后摆动 L2。摆动 L2 时，束流应在同一位置聚焦和散焦。若不然，使用 DP1（X、Y）将其居中。

■ 注意：可能有必要调整双等离子体源 Z 电极的高度，以便在物理上使等离子体位置居中。当束流在 L2 中对准良好时，可以看到穿过 D4 光阑的晕环像。

2. 将 L2 数值设为所需的一次电流，并用 L4 透镜将束流聚焦到样品表面。

3. 使用消像散器（Stig_45、Stig_90）、四极（D5-S1）和 L4 聚焦进行最终调整，以改善束斑形状。

STEP C：调整/确认 D4 光阑的位置

1. 到目前为止，我们一直使用 D4=750 μm（#1），同时保持 D0=3000 μm。为了能够自由改变一次电流，所有 D4 光阑都应正确对准并加以确认。在保持 D0=3000 μm 的同时，将 D4 设为 500 μm（#2）。

■ 注意：建议在更换到另一个 D4 光阑之前，记录下 D4=750 μ m 的位置（X、Y）。

2. 在 Beam On 状态下摆动 L4。束流应在同一位置聚焦和散焦。若不然，通过调整 D4 光阑位置（X、Y）来校正对准。

3. 使用 Beam pos（X、Y）将束流重新居中到次级光轴上，即视场光阑平面的中心。

4. 在 ‘Mass & Apertures’ 面板上点击 [VAL] 按钮，确认 D4=500 μm（#2）的位置。

5. 将 D4 光阑更换为下一个，并对每个 D4 光阑重复 2~4。

■ 注意：D4 光阑的 X 位置对所有 6 个光阑通常相近（< 1000 digits），而 D4 的 Y 位置则各不相同。相邻光阑在 y 轴上相差约 1800 digits。

6. 所有确认完成后，再次将 D4 设为 750 μ m（#1）。

STEP D：对 D0 光阑的位置进行居中/确认

1. 到目前为止，我们一直使用 D0=3000 μ m，即无光阑。为了能够自由改变一次电流，所有 D0 光阑都应正确对准并加以确认。按先前设置保持 D4=750 μ m（#1）的同时，将 D0 设为 2000 μ m（#1）。

2. 在 Beam Off 状态下调整 D0 光阑的位置（X、Y），使一次电流最大。

3. 在 ‘Mass & Apertures’ 面板上点击 [VAL] 按钮，确认 D0=750 μm（#2）的位置。

4. 将 D0 光阑更换为下一个，并对每个光阑重复 2 和 3。

■ 注意：D0 光阑的 X 位置对所有 6 个光阑通常相近（< 1000 digits），而 D0 的 Y 位置则各不相同。相邻光阑在 y 轴上相差约 1800 digits。

STEP E：使用维恩滤波器（Wien filter）

1. 打开 ‘Synoptic panel’（总览面板），按下图选择相应菜单：2. Primary → 1. L1+L2+L3 → 4) WIEN COIL, WIEN LENS, WIEN DY。

2. 将 WIEN COIL 设为 2 Amp。增大 Wien 线圈数值时，一次束将沿 Y 轴连续移动。

3. 为了使束流保持在 FA 平面内，换言之，为了不在 MCP 板上完全丢失束流，请使用 WIEN DY 偏转器将其逐渐移回图像中心。WIEN DY 的最终值应接近典型值 – 250 digits。

STEP F：使用加速-减速电极（Accel-Decel）

1. 对于较低碰撞能量条件，即 Duo Source HV < 2keV，必须使用加速-减速电极（DUO ACL 参数）以增大一次电流。

2. 将 DUO_ACL 增大至 200 eV（注意，对于 O₂⁺ 一次离子其为负值）。先通过用 DP1（X、Y）重新居中束流，再通过调谐 L1 透镜，使一次束强度最大。在偏转器与透镜之间反复调整，以使束流强度最大。

■ 注意：降低 Duo_coil 数值可能有助于提高束流强度。当 Duo_coil 减小时，也必须减小 L1_HV，以使束流强度最大。

3. 以 50 digits 为步进增大 DUO_ACL，并按上述方法使束流强度最大，只要能够观察到束流密度的改善。

4. 通过调节 L4 将一次束尺寸调整到所需值。建议将 L1 保持在能给出最大束流强度的数值。

STEP G：使用 L3 透镜获得更高的一次电流

1. 缓慢增大 L3 HV。随着 L3 数值增大，束斑形状可能会变形，束流位置会发生移动。一次电流也可能减小。

2. 使用 DP_3a（X、Y）使电流最大。

3. 重复 1~2，直至达到所需电流。

■ 注意：一般而言，L3 HV 的最佳值约为源高压的 30~40 %。

4. 使用 Beam pos（X、Y）将束流带回 FA 平面的中心。

5. 使用 L4 透镜将束流聚焦得尽可能小。

■ 注意：如 STEP A 所述，在摆动 L4 时无需将束流在 D4 光阑中居中。因为用全部四个透镜（L1、L2、L3 和 L4）对准初级光路实际上非常困难。因此，在启用 L3 透镜后，强烈建议除 L4 之外保持所有其他参数不变，以将束流聚焦得尽可能小。